《炬丰科技-半导体工艺》等离子体对氮化硅、氧氮化物的影响

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:等离子体对氮化硅、氧氮化物的影响

编号:JFKJ-21-019

作者:炬丰科技

1.动机

本文章的工作侧重于对包括氮化硅 (SiNx)、氮氧化硅 (SiOxNy) 和铜 (Cu) 在内的几种衬底上的等离子体反应(www.zhaimeng.net)。目标是开发一种比湿式清洁技术和钝化技术更好的等离子体清洁方法,以延长工业中使用的基材的保质期。用于等离子体清洗的气体包括氧气、氨气、氦气和氢气。等离子清洗也与自由基清洗(由热裂解器产生)进行比较。尽管有效去除碳和其他表面污染物是等离子体清洁中的一个重要问题,但等离子体处理过的表面的组成和表面在环境暴露时和期间的亲水性也具有实际重要性。

等离子体暴露表面的钝化是通过使用几种气体进行等离子体暴露后进行的。氢在保持基材的亲水性方面最为成功。

2.背景

在过去的几十年中,半导体行业观察到了翻倍的趋势大约每两年每个集成电路 (IC) 的晶体管数量。这种趋势首先由戈登摩尔在 1965 年描述,被称为“摩尔定律”,主要是由于晶体管和 IC 特征尺寸的不断缩小。图 1.1 [1] 说明了过去 40 年 IC 特征尺寸缩小的趋势。为了适应晶体管数量的增加,晶片的直径增加到 200 毫米,并且正在发展到 300 毫米及以上 [2]。

随着集成电路尺寸不断缩小,管芯和衬底上的引线键合焊盘尺寸的相关减小对制造工艺提出了重大挑战...... 等离子工艺的目标是最大限度地提高拉线强度。

3.什么是等离子体? 略

4.等离子应用 略

5.实验中使用的基材 略

6.现在的工作 略

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主营产品:废气吸收